规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双PNP
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 60 V, 0.0272 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 75 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 5.6 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 250 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 1 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.213 电阻比率
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P, 2.3 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 100 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 770 mV
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 70 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 60 V, 0.096 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 22 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 150 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 2 A, SOT-1061, 3 引脚, 420 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, Trench, AEC-Q101, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
ROHM
二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阴极, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)
