规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 5 A, 单, TO-252, 3 引脚, 710 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 60 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 630 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 13 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 60 V, 3 A, 单, PowerDI 123, 2 引脚, 650 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 200 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 840 mV
(EN)VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 450 mV, 4 A, 125 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 55 V, 0.031 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 5 A, 60 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 6.8 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快功率二极管, AEC-Q101, 1 kV, 3 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 30 A
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 10 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
