
VISHAY
快速/超快功率二极管, 200 V, 20 A, 双共阴极, 1.05 V, 22 ns, 210 A

VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 30 A, 双共阴极, 1.25 V, 96 ns, 300 A

ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 30 V, 0.0034 ohm, 11.5 V, 2.5 V

VISHAY
单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, DO-204AH, 2 引脚, 175 °C

ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, AEC-Q101, 50 V, 1 A, 单, 875 mV, 35 ns, 40 A

ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, 40 V, 100 MHz, 2 W, -3 A, 220 hFE

INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V

VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 16 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 1 V

ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 33 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 1 V

ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 3 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V

INFINEON
射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343

VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 40 V, 0.00053 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 100 V, 2 A, SOD-123W, 2 引脚, 770 mV

INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0111 ohm, 10 V, 3 V

ROHM
肖特基整流器, 110 V, 40 A, 双共阴极, ITO-220AB, 3 引脚, 860 mV

INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, 160 hFE