规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
VISHAY
单管二极管 齐纳, 18 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 75 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 90 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 5 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 3.9 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
(EN)ROHM
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 40 V, 30 mA, 370 mV, 200 mA
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 100 V, 1.25 W, 3 A, 10 hFE, SOT-1205
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, Trench, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 100 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 34.95 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 62 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 39 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双PNP, -45 V, 350 mW, -100 mA, 200 hFE, DFN1010B
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 100 V, 1 A, SOD-123W, 2 引脚, 770 mV
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 1.33 A, 20 V, 0.3 ohm, 5 V, 900 mV
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
