规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 82 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 429 A, 24 V, 800 μohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 30 V, 1 A, SOD-123, 2 引脚, 390 mV
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, AEC-Q101, 双共阴极, 350 V, 20 A, 1.3 V, 25 ns, 100 A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 28.7 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 200 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 1 A
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 150 V, 1 A, PowerDI 123, 2 引脚, 820 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET Transistor, N Channel, 380 mA, 60 V, 1.19 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 10 hFE
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, AEC-Q101, 8 A, 单, SOT-1289, 3 引脚, 850 mV
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 四共阳极, 90 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12.5 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阳极, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 1.3 W, DO-204AL, 2 引脚, 175 °C
(EN)
