规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0029 ohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 200 V, 20 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 95 A, 200 V, 0.0127 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, N通道, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 2 W, 10 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 215 MHz, 2 W, 3 A, 100 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -60 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 40 V, 3 A, 单, PowerDI 123, 3 引脚, 470 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双路N和P通道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4.2 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
BOURNS
小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 40 V, 200 mA, 550 mV, 2 A, 125 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 33 V, 1 W, MELF, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0056 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 18 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 45 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 400 A, 40 V, 0.0009 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
