规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 78.5 A, 200 V, 0.0127 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)NEXPERIA
肖特基整流器, 30 V, 500 mA, 单, SOD-123, 2 引脚, 430 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 49 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 295 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 27 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 510 mW, 2 A, 50 hFE, SOT-1118
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 40 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 30 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 20 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 550 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
