规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
VISHAY
开关二极管, 100V, 150mA, SOD-80
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 100 V, 1.25 W, 3 A, 10 hFE, SOT-1205
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.09 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, QuadroMELF, 1.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 65 W, 15 A, 300 hFE
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
BOURNS
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 50 V, 2 A, DO-214AA, 2 引脚, 700 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 75 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 320 MHz, 500 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 16 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 510 mW, 1 A, 70 hFE, SOT-1118
(EN)ROHM
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, SOD-323HE, 2 引脚, 470 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 280 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 30 V, 2 A, PowerDI 123, 2 引脚, 450 mV
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 双系列, 100 V, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
