规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)
ROHM
标准恢复二极管, AEC-Q101, 单, 400 V, 2 A, 1.1 V, 50 A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 27 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, TVS AEC-Q101, 1.8 V, 700 A
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 510 mW, 1 A, 70 hFE, SOT-1118
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 15 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 16.86 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -40 V, 160 MHz, 2 W, -3 A, 100 hFE
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 750 mA, 125 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.13 A, -30 V, 0.155 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 550 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 200 V, 5 A, 单, 920 mV, 25 ns, 40 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q100, PNP, -250 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 45 hFE
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 60 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 530 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0076 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)ROHM
肖特基整流器, 30 V, 100 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 370 mV
(EN)
