
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 15 hFE

ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 三独立式, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

ROHM
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C

ROHM
二极管 小信号, 双系列, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V

VISHAY
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -260 mA, -250 V, 7.5 ohm, -10 V, -1.5 V

NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 420 mW, 2 A, 160 hFE

INFINEON
二极管, 射频/PIN, AEC-Q101, SC-79, 2引脚

ROHM
肖特基整流器, 100 V, 10 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 870 mV

ROHM
肖特基整流器, 60 V, 2 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 610 mV

ROHM
单管二极管 齐纳, 3 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 69 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 30 V, 250 MHz, 2 W, 5 A, 200 hFE

NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 500 mA, 340 hFE

ROHM
肖特基整流器, 40 V, 100 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 410 mV

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V

ROHM
快速/超快二极管, 350 V, 10 A, 单, 1.5 V, 30 ns, 80 A

INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, SOD-123, 2 引脚, 560 mV

ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.5 V

INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

VISHAY
快速/超快功率二极管, AEC-Q101, 单, 600 V, 6 A, 1.8 V, 40 ns, 90 A