
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 91 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1.2 V, 4 ns, 350 mA

VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A

VISHAY
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, DO-204AH, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 5.1V, SOD-80, 整卷

VISHAY
单管二极管 齐纳, 36 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 39 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V

INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.065 ohm, -10 V, -2 V

VISHAY
小信号肖特基二极管, MiniMELF, 单, 50 V, 200 mA, 900 mV, 125 °C

VISHAY
二极管 小信号, 单, 200 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 1 A

INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, 70 hFE

VISHAY
小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 150 mA, 22 kohm, 10 kohm

INFINEON
二极管, 射频/PIN, AEC-Q101, 双共阴极, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3引脚, 0.23 pF

ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 5 %, 2 引脚, 150 °C

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

INFINEON
射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343

INFINEON
小信号肖特基二极管, 双隔离, 25 V, 100 mA, 950 mV, 500 mA, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双系列, 100 V, 715 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A