规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
二极管 小信号, AEC-Q101, 共阳极, 100 mA, 490 mV, 500 mA
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双PNP
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, AEC-Q101, 双共阴极, 200 V, 6 A, 940 mV, 25 ns, 150 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 60 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 12V, SOD-80
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 3.9V, SOD-80
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
整流二极管, 超快速恢复, 2A, 100V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.05 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 300 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
