
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 420 hFE

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V

TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 500 V, 1 A, 单, 1.7 V, 35 ns, 30 A

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 2 V

INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 16 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 63 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 40 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 63 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 40 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 63 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 100 hFE

NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 420 mW, -2 A, 100 hFE