规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1.3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 24 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1800 μohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 39V, SOD-80
(EN)ROHM
二极管阵列 齐纳, Bidirectional, 36 V, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
(EN)
ROHM
二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 单, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220AC
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
二极管, 射频/PIN, 单, 7 ohm, 50 V, SOD-323, 2引脚, 0.4 pF
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 140 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 车用, 100V, 42A, TO-251AA
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500MW, 12V, SOD-80, 整卷
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 500mW, 110V, SOD-123
(EN)
