规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -460 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 100 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 200 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 270 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Dual MOSFET, Dual N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 4 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 680 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 单, TO-252, 3 引脚, 570 mV
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 150 V, 4 A, PowerDI 5, 3 引脚, 760 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 4 A, 890 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 50 A, 40 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 40 V, 1 A, SOD-323HE, 2 引脚, 550 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P, 1.5 A, 20 V, 0.108 ohm, 4.5 V, 950 mV
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 20 V, 0.0065 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 20 V, 0.027 ohm, 10 V, 600 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.9 A, -20 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
