规格：驱动配置 高压侧和低压侧,
STMICROELECTRONICS
芯片, 晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, 4A, SOIC-14
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 7.2V-13.5V电源, 2.5A输出, 22ns延迟, MSOP-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 18ns延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16
(EN)
INFINEON
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-14
(EN)
INFINEON
芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
(EN)
INFINEON
双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-35V电源, 5A输出, 17ns延迟, SOT-23-5
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-32V电源, 5A输出, 17ns延迟, SOT-23-6
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, WSON-10
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET DRIVER, DUAL, HIGH/LOW, DFN-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
高频率模块, DrMOS, 高压侧和低压侧, 3V-24V电源, 50A输出, PQFN-40
(EN)
VISHAY
芯片, 场效应管驱动器, MOSFET, 高/低压侧, POWERPAKMLP55
(EN)
DIODES INC.
MOSFET/IGBT DRIV, LOW/HIGH SIDE, SOIC-16
(EN)DIODES INC.
MOSFET/IGBT DRIV, LOW/HIGH SIDE, SOIC-16
(EN)
RICHTEK
DRIVER, MOSFET, BUCK, 2CH, WQFN-16
(EN)
RICHTEK
DRIVER, MOSFET, BUCK, 1CH, WDFN-8
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 6.5V-80V电源, 2.4A输出, 28ns延迟, SOT-23-6
(EN)
INFINEON
驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44
(EN)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 4.5V-18V电源, 6A输出, DIP-8
(EN)
MICROCHIP
双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-30V电源, 1.5A输出, 78ns延迟, DIP-8
(EN)
