规格：射频晶体管封装 SOT-323,
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, 20 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
射频双极晶体管
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE
(EN)INFINEON
晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, 带电阻, 50V, 47K/4.7KΩ, SOT323
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.04 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)NXP
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE
(EN)
