规格：引脚数 3引脚,
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 6 A, 双共阴极, 1.35 V, 55 ns, 50 A
(EN)
INFINEON
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 4 mA, 16 mA, -8 V, SOT-23, JFET
(EN)INFINEON
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFET
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 5 A, 1.25 V, 48 ns, 55 A
(EN)BROADCOM LIMITED
二极管, 射频/PIN, 限制器, 单, 0.6 ohm, 50 V, SOT-323, 3引脚, 1.2 pF
(EN)INFINEON
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, JFET, 40 V, 50 μA, 130 μA, 4 V, SOT-883, JFET
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
(EN)STMICROELECTRONICS
Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 4 A, 12.5 nC, TO-252
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 10 A, 双共阴极, 1.5 V, 45 ns, 110 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 10 A, 双共阴极, 1.5 V, 45 ns, 110 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 12 A, 双共阴极, 1.3 V, 65 ns, 200 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 12 A, 双共阴极, 1.3 V, 65 ns, 200 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 200 V, 16 A, 双共阴极, 1.03 V, 23 ns, 190 A
(EN)
