规格：阈值电压 Vgs -3V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2 A, -45 V, 0.13 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -3.2A, -30V, 1.25W
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 1.95A, SOT-23
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 19A, TO-252
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0057 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, P沟道, MOSFET
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -30 V, 0.0032 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.83 A, -60 V, 0.23 ohm, -6.2 V, -3 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -55 V, 18 mohm, -10 V, -3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0036 ohm, -10 V, -3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.221 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
场效应管, P沟道, MOSFET, -100V, 28A, SOIC
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -40 V, 0.0035 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -40 V, 0.041 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
