规格：阈值电压 Vgs 4V,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 48A TO-220AB
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 16A, D-PAK
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 36W, TO-220AB
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 28 mohm, 10 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-247AC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 58A, 100V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, HEXFET, 60V, 120A, D2PAK
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, TO-220AB
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 63.3 A, 650 V, 0.043 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 14A TO-220FP
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 75A, D2-PAK
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N通道, MOSFET, 400V, 5.5A, TO-204AA
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET
(EN)
