规格：在电阻RDS（上） 190mohm,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 16.5 A, -100 V, 190 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 190 mohm, -10 V, -1.6 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V V(BR)DSS
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 190 mohm, -10 V, -1.6 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
