规格：在电阻RDS（上） 3ohm,
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 3 ohm, 4 V, 1.1 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 370 mA, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 400 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA, TO-236
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 2.4A, TO-252-3
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.75 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
