规格：在电阻RDS（上） 160mohm,
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 20 V, 160 mohm, 4 V, 1.1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 300 V, 160 mohm, 10 V, 5 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 120 V, 160 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 160 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.7 A, -70 V, 160 mohm, 10 V, -1 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 14A, D2-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, HEXDIP
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 30 A, 500 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
(EN)NTE ELECTRONICS
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 14A, TO-220
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 160 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
