规格：在电阻RDS（上） 200Mohm,
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 1.95A, SOT-23
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 7.7A, IPAK
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, 通用, P沟道, 21 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 9.7A, TO-220AB
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 19A D2-PAK
(EN)
