规格：在电阻RDS（上） 39Mohm,
VISHAY
晶体管, 双N沟道
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236, 整卷
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK, 整卷
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -650 mV
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -650 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 39 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
