规格：在电阻RDS（上） 280mohm,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, D-PAK
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 250 V, 280 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 14A
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 250V, 14A SMD-220
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 150 V, 280 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
