规格：在电阻RDS（上） 800mohm,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 500 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 400mA, SOT-23
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.3 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 6.5A, TO-204AA
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
(EN)VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -30 V, 800 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
(EN)
