
ROHM
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V

ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE

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肖特基整流器, 110 V, 40 A, 双共阴极, ITO-220AB, 3 引脚, 860 mV

ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V

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二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 A

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

ROHM
肖特基整流器, 60 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 650 mV

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

ROHM
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V

ROHM
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-88

ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 280 MHz, 10 W, 2 A, 120 hFE

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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -300 mV

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 150 mA, 100 hFE