ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, 60 hFE
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 60 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 450 hFE
MULTICOMP
齐纳二极管, 36V, 200mW, SOD-323
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚
ROHM
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
单晶体管 双极, NPN, PNP, -50 V, 390 MHz, 1.2 W, -3 A, 200 hFE
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV
齐纳二极管, 500mW, 27V, SOD-123
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.0205 ohm, 10 V, 2 V
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -1 V
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 24 V, 0.0105 ohm, 4.5 V, 1.3 V
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V
肖特基整流器, 40 V, 1 A, 单, DO-216AA, 2 引脚, 850 mV
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.4 A, -20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, -1 V
整流器, 肖特基, 1.5A, 30V, SOD-123F
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 100 mA, 690 mV, 1 A, 150 °C
肖特基整流器, 30 V, 2 A, 单, SOT-363, 6 引脚, 500 mV
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 双隔离, SOT-25, 5 引脚, 530 mV
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 125 °C
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.0133 ohm, 10 V, 2 V
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 155 MHz, 1 W, 4 A, 450 hFE
(EN)
