DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 270 MHz, 1.25 W, 3 A, 450 hFE
TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 950 mV
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, P沟道
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
MULTICOMP
肖特基整流器, 40 V, 2 A, 单, DO-214AA, 2 引脚, 550 mV
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 420 hFE
ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V
场效应管, MOSFET, 双N沟道
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 900 mW, 1 A, 200 hFE, SOT-25
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.062 ohm, -4.5 V, -1.01 V
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 电阻比率
VISHAY
二极管, 标准, 6A, 400V, P600
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 155 MHz, 390 mW, -3.5 A, 320 hFE
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -30 V, 98 mohm, 10 V, -2.5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
肖特基整流二极管, 3A, 60V, DO-214AC
射频双极晶体管
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 3 MHz, 2 W, -6 A, 30 hFE
三端双向可控硅, 800 V, 50 mA, 1 W, 1.5 V, TO-220AB, 160 A
(EN)
