DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 mW, 600 mA, 80 hFE
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 47 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 400 MHz, 3.5 W, -4 A, 200 hFE
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 600 V, 1 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 35 A
单管二极管 齐纳, 18 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V
双极晶体管
单管二极管 齐纳, 56 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 30 V, 4 V
WEEN SEMICONDUCTOR
三端双向可控硅, 800 V, 10 mA, 2 W, 1.3 V, SOT-223, 13.8 A
单管二极管 齐纳, 18 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 6 MHz, 125 W, 16 A
VISHAY
桥式整流器, 单相, 15A, 600V, GSIB-5
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
单管二极管 齐纳, 62 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
晶体管, MOSFET, P沟道, 16 A, -12 V, 7 mohm, 4.5 V, 900 mV
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 95 MHz, 770 mW, 8 A, 550 hFE
桥式整流器, 单相, 1A, 50V, SMD
(EN)
