INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V
NTE ELECTRONICS
小信号二极管
LITTELFUSE
三端双向可控硅, 600 V, 10 mA, 10 W, 2.5 V, TO-225, 30 A
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFE
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 22 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 750 mA, 125 °C
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 56 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V
晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -150 V, 0.12 ohm, -10 V, -5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
NXP
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 95 mohm, -4.5 V, -650 mV
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 80 V, 29 mohm, 10 V, 4 V
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V
单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
二极管 小信号, 单, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
(EN)
