MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 279 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V
二极管, 快速恢复型, 2A, 200V, DO-214AC-2
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.7 V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFE
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 900 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 30 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 550 mV
标准恢复二极管, 200 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 113 W, 6 A, 8 hFE
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
VISHAY
肖特基二极管
单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 420 hFE
三端双向可控硅, 600 V, 50 mA, 1 W, 1.3 V, TO-220AB, 160 A
单管二极管 齐纳, 22 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC
快速/超快二极管, 400 V, 4 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 150 A
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 1 W, 1.2 A, 25 hFE
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206
(EN)
