NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 6.2 W, -200 mA, 100 hFE
INFINEON
场效应管, MOSFET
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -100 V, 116 MHz, 1.3 W, -6 A, 10 hFE
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE
单晶体管 双极, PNP, -32 V, 200 MHz, 200 mW, -800 mA, 120 hFE
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 140 MHz, 25 W, 3 A, 10 hFE
BOURNS
晶闸管, 120 V, -5 mA, 5 μA, SOIC, 8 引脚
WOLFSPEED
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 600 V, 9.5 A, 16 nC, TO-263
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3 V
单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 200 hFE
整流桥
场效应管, MOSFET, P沟道
场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 100V, 3.6W
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V
场效应管, MOSFET, N沟道, 65A, 30V, 75W
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
(EN)
