INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 3 V
INTERNATIONAL RECTIFIER
双极性晶体管, N 通道, 600V
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 49.6 mohm, 10 V, 1.5 V
ROHM
肖特基整流器, 40 V, 100 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 480 mV
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 650 mV
肖特基整流器, 40 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 520 mV
单管二极管 齐纳, 双向, 16 V, 200 mW, SOD-323FL, 150 °C
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.08 ohm, -10 V, -2.5 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 340 MHz, 500 mW, -1.5 A, 120 hFE
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
肖特基整流器, 150 V, 10 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 880 mV
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0011OHM, 195A,
双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
肖特基整流器, 30 V, 100 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 460 mV
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -2 V
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 300 MHz, 500 mW, -3 A, 180 hFE
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.085 ohm, 10 V, 2.5 V
肖特基整流器, 45 V, 20 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 650 mV
场效应管, MOSFET
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1.5 V
VISHAY
晶体管, P沟道
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 2950 μohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
