NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE
双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE
NXP
射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE
VISHAY
雪崩二极管, 2A, 1.5KV, SOD-57, 整卷
雪崩二极管, 1A, 600V, SOD-57, 整卷
齐纳二极管, 18V, 300MW, SOT-23-3, 整卷
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管, 超快恢复型, 30mA, 30V, SOD-523
齐纳二极管, 2W, 51V, TMINIP2-F2-B
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, POWERTRENCH系列, P沟道
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.5A, SOIC, 整卷
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.9 V
场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V 6A SOIC, 整卷
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8.6 A, 30 V, 17 mohm, 10 V, 1.6 V
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 900MA, TSOP, 整卷
晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 20V, 微型8, 整卷
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -16A, SOIC, 整卷
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 5.3A, SOT-23, 整卷
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23, 整卷
(EN)
