NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-666
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 1 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 30 A
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.2 V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 200 mA, 300 hFE
单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 40 hFE
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-263-3
肖特基整流器, 100 V, 5.5 A, 单, TO-252AA, 3 引脚, 770 mV
二极管, 快速, 3A, 1KV, DO-201AD-2
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 75 V, 140 MHz, 1 W, 3 A, 450 hFE
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1.6 V
单晶体管 双极, PNP, 50 V, 100 MHz, 1 W, -2 A, 300 hFE
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 500 mW, 3 A, 465 hFE
晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3.7 V
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 13.5 mohm, -10 V, -2.5 V
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 100 hFE
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 40 W, -3 A, 50 hFE
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)
