TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
单管二极管 齐纳, 18 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
单管二极管 齐纳, 30 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
MULTICOMP
二极管, 整流器, 2A, 50V, DO-204AC
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 260 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
VISHAY
桥式整流器, 单相, 2A, 200V, D-44-4
桥式整流器, 单相, 2A, 800V, D-44-4
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 2件, N沟道, 150 A, 2.6 V, 780 W, 1.2 kV, Module
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.85 V, 1.07 kW, 1.2 kV, Module
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.75 V, 1.5 kW, 1.2 kV, Module
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 400 A, 2.05 V, 2.045 kW, 1.2 kV, Module
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFE
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE
(EN)
