ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 140 mohm, 10 V, 3 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 155 MHz, 2 W, 5 A, 450 hFE
单晶体管 双极, NPN, 75 V, 140 MHz, 1.6 W, 3 A, 450 hFE
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 145 MHz, 2 W, -3 A, 190 hFE
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 1 W, 225 mA, 100 hFE
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 300 hFE
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 50 MHz, 1 W, -200 mA, 100 hFE
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 1 W, -1 A, 160 hFE
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 100000 hFE
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 35 hFE
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 150 MHz, 1 W, 2 A, 150 hFE
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 2 W, -2 A, 150 hFE
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 200 V, 35 mohm, 10 V, 5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
