INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00075 ohm, 10 V, 2.2 V
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, 双NPN, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 265 mW, 600 mA, 20 hFE
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 265 mW, 100 mA, 200 hFE
单管二极管 齐纳, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 %, 2 引脚, 150 °C
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, SOD-923, 2 %, 2 引脚, 150 °C
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V
二极管 小信号, 双共阴极, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
双极性晶体管, NPN, 45VDC, TO-92
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -30 V, 8 ohm, -4 V, -1.4 mV
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 625 mW, -300 mA, 40 hFE
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11mA
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2.6 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
