规格：电压 @ Rds测量 10V,
VISHAY
晶体管, 双N&P沟道
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, TSOP
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 30 V, 0.047 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 17.3 A, 80 V, 10.8 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 25 V, 7.1 mohm, 10 V, 600 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.1 A, 30 V, 0.0115 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, 双N沟道
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 20 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N通道, MOSFET, 30V, 12.5A, SOIC
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9A, 40V, 1.1W
(EN)VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
