规格：电源电压最大值 18V,
MICROCHIP
双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 6A输出, 40ns延迟, DIP-8
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
MOSFET驱动器双路, 低压侧非反相, 4.5V-18V电源, 3A峰值输出, 4.3 Ohm输出, SOIC-8
(EN)
NXP
微控制器, 16位, HCS12 MagniV, 32 MHz, 192 KB, 12 KB, 48 引脚, LQFP
ON SEMICONDUCTOR
非门, 施密特触发, 1输入, 8.8 mA, 3V至18V, SOIC-14
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
驱动器芯片, 低压侧, 4.5V-18V电源, 12A输出, 35ns延迟, TO-220-5
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低/高压侧, SOIC-14
(EN)
MICROCHIP
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 10A输出, 42ns延迟, DIP-8
(EN)MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 3A峰值, 低压侧
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
直流/直流控制器, 电压模式, 4.5V至18V, 1路输出, 同步降压, 700kHz, SON-10
(EN)
MICROCHIP
双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 9A输出, 33ns延迟, DIP-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
电压监控器, 低电平有效, 漏极开路复位, 2V-18V输入, SOT-23-6
(EN)MICROCHIP
双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, SOIC-8
(EN)ON SEMICONDUCTOR
芯片, PFC 控制器, CCM, 18V, DIP-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
逻辑芯片, 4位D型寄存器, 16TSSOP
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
与非门, 3门, 3输入, 6.8 mA, 3V至18V, SOIC-14
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
逻辑芯片, 可寻址锁存器 , 8位, 16SOIC
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
电流模式控制器, PWM, 18V-12V电源, 1 MHz, 18V/200mA输出, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 13A输出, 44ns延迟, TO-220-5
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
同或门, 4门, 2输入, 6.8 mA, 3V至18V, DIP-14
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
芯片, 开关电容转换器, CMOS, 双通道, 18SOIC
(EN)MICROCHIP
双路驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 3A输出, 38ns延迟, DIP-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
AND Gate, CMOS, 2 Gate, 4 Input, 3V to 18V, SOIC-14
(EN)
