规格：MSL MSL 2 - 1 year,
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 9.3A, PQFN
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 7A, SOICSIS
(EN)
STMICROELECTRONICS
双向晶闸管, 800V, 40A, TOP-3
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
达林顿晶体管阵列, NPN, 500mA, SOIC-18
(EN)
NXP
射频场效应管, MOSFET, N通道, 68V, 466-03, 整卷
(EN)
INFINEON
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 25V, 188A, PQFN-
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 900MA, TSOP, 整卷
(EN)INFINEON
晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 20V, 微型8, 整卷
(EN)INFINEON
晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 30V, 微型8, 整卷
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 86A, TO-220-3
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 3.2A, 微型6, 整卷
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 稳压器, LDO, 5V, 0.8A, SOT-223-4
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 并联稳压器
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 并联电压基准, 可调, 2.495V 2% SOT-89-3
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 白光二极管驱动器, 升压, SON-6
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 运算放大器, 低功率, 18MHz, 6.4V/uS, 150uV, SOIC8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 稳压器, LDO, 3.3V, 1A, TO-252
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 线性稳压器, 3.3V, SOT-223-4
(EN)
