品牌：ROHM,规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-74A
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 18 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457
(EN)ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFE
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 364 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -12 V, 0.008 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.061 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -45 V, 0.33 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -45 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -100 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
