规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -120 V, 140 MHz, 200 mW, -50 mA, 180 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 400 MHz, 200 mW, -1.5 A, 270 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 18 V, 1.5 GHz, 200 mW, 20 mA, 56 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 330 MHz, 200 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 50 mA, 820 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 200 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4 V, 1 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 98 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 130 mohm, 4.5 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 140 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 600 V, 35 mA, 1 W, 1.3 V, TO-263, 120 A
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
(EN)
