规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.024 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.213 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 120 MHz, 1.6 W, 5 A, 250 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.04 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 100 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.092 ohm, 5 V, 1.68 V
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
