规格：MSL MSL 1 -无限制,
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 104 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 7.7 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -600 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0049 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 104 MHz, 480 mW, -2.7 A, 350 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 140 MHz, 1.5 W, 10 A, 50 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 7.3 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
