规格：MSL MSL 1 -无限制,
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 20 V, 2.3 W, 7.5 A, 300 hFE, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 1.35 W, 6 A, 40 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 150 mW, -150 mA, 120 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 200 MHz, 200 mW, 300 mA, 10000 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 6.2 W, -200 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -100 V, 116 MHz, 1.3 W, -6 A, 10 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -32 V, 200 MHz, 200 mW, -800 mA, 120 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 140 MHz, 25 W, 3 A, 10 hFE
(EN)
BOURNS
晶闸管, 120 V, -5 mA, 5 μA, SOIC, 8 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 200 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 510 mW, 2 A, 50 hFE, SOT-1118
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -9.8 A, -30 V, 13.6 mohm, -10 V, -1.9 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
