规格：MSL MSL 1 -无限制,
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 100 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.7 V
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
ROHM
二极管, 射频/PIN, 单, 7 ohm, 50 V, SOD-323, 2引脚, 0.9 pF
(EN)
ROHM
二极管, 射频/PIN, 双系列, 7 ohm, 50 V, SOT-323, 3引脚, 0.9 pF
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0064 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 双NPN, 60 V, 140 MHz, 2 W, 2 A, 50 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 49.6 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.08 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 340 MHz, 500 mW, -1.5 A, 120 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 300 MHz, 500 mW, -3 A, 180 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.085 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
