规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 150 mW, -150 mA, 120 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 150 mW, 150 mA, 120 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 260 MHz, 120 mW, -500 mA, 270 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 320 MHz, 120 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, NPN, 12 V, 150 mW, 500 mA, 270 hFE, SOT-363
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 340 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 32 V, 150 MHz, 200 mW, 800 mA, 120 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 200 mW, -150 mA, 120 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0078 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -780 mA, -20 V, 0.38 ohm, -4.5 V, -1.2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 125 MHz, 500 mW, -1 A, 250 hFE
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2 A, 100 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
